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NE3512S02数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

NE3512S02

参数属性

NE3512S02 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:HJ-FET NCH 13.5DB S02

功能描述

C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

封装外壳

4-SMD,扁平引线

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.35dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    S02

  • 描述:

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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