NE3515S02数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
NE3515S02规格书详情
描述 Description
X to Ku-Band Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET
技术参数
- 产品编号:
NE3515S02-T1C-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
HFET
- 频率:
12GHz
- 增益:
12.5dB
- 额定电流(安培):
88mA
- 噪声系数:
0.3dB
- 功率 - 输出:
14dBm
- 封装/外壳:
4-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
S02
- 描述:
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2021+ |
S0-2 |
8918 |
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Renesas(瑞萨) |
23+ |
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20094 |
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RENESAS |
24+ |
SO2 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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RENESAS |
24+ |
SMD |
33547 |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS |
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RENESAS |
23+ |
SO2 |
20000 |
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RENESAS |
23+ |
40522 |
原厂原装正品 |
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RENESAS |
S0-2 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
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