NE3521M04-T2-A_分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-射频-CEL

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原厂料号:NE3521M04-T2-A品牌:CEL

资料说明:IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

NE3521M04-T2-A是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商CEL/California Eastern Labs生产封装4-SMD,扁平引线的NE3521M04-T2-A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    ne3521m04-t2-a

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  • 企业简称:

    CEL详情

  • 厂商全称:

    California Eastern Labs

  • 资料说明:

    IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NE3521M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    N 沟道 GaAs HJ-FET

  • 频率:

    20GHz

  • 增益:

    11dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.85dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 描述:

    IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

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