首页 >NE3521M04-T2-A>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

NE3521M04-T2-A

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3521M04-T2-A

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3521M04-T2-A

Package:4-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

CEL

California Eastern Labs

NE3521M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3521M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3521M04-T2

N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3521M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3521M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

CEL

California Eastern Labs

NE3521M04-T2B

N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE3521M04-T2B-A

N-ChannelGaAsHJ-FET,KBandLowNoiseandHigh-Gain

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    NE3521M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    N 沟道 GaAs HJ-FET

  • 频率:

    20GHz

  • 增益:

    11dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.85dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 描述:

    IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
1326+
4-SMD
938
原装正品现货,可开发票,假一赔十
询价
RENESAS
24+
4-SMD
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
RENESAS
1326+
4-SMD
938
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
CEL
2022+
-
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
SMD
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
RENESAS
2023+
4-SMD
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
RENESAS
23+
4-SMD
938
全新原装正品现货,支持订货
询价
RENESAS
24+
4-SMD
5000
全新原装正品,现货销售
询价
RENESAS
22+23+
4-SMD
8000
新到现货,只做原装进口
询价
更多NE3521M04-T2-A供应商 更新时间2025-5-21 9:09:00