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NE3521M04-T2-A分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

NE3521M04-T2-A
厂商型号

NE3521M04-T2-A

参数属性

NE3521M04-T2-A 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

功能描述

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

文件大小

653.66 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 California Eastern Laboratories
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Laboratories官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 22:30:00

NE3521M04-T2-A规格书详情

NE3521M04-T2-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE3521M04-T2-A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    NE3521M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    N 沟道 GaAs HJ-FET

  • 频率:

    20GHz

  • 增益:

    11dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.85dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 描述:

    IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

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