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NE3521M04-T2-A分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3521M04-T2-A |
| 参数属性 | NE3521M04-T2-A 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI |
| 功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
| 文件大小 |
653.66 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-15 22:30:00 |
NE3521M04-T2-A规格书详情
NE3521M04-T2-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE3521M04-T2-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
NE3521M04-T2-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
N 沟道 GaAs HJ-FET
- 频率：
20GHz
- 增益：
11dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.85dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 描述：
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2020+ |
4-SMD |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
只做原装 |
21+ |
BGA |
36520 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | |||
RENESAS |
1326+ |
4-SMD |
938 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
4-SMD |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
RENESAS |
2320+ |
4-SMD |
562000 |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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SOT-343 |
23+ |
NA |
15659 |
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NEC |
22+ |
BGA |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
20+ |
DIP |
90000 |
全新原装正品现货/价格合适 |
询价 |
