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NE3521M04-T2分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3521M04-T2 |
| 参数属性 | NE3521M04-T2 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI |
| 功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
| 文件大小 |
653.66 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-19 22:30:00 |
NE3521M04-T2规格书详情
NE3521M04-T2属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE3521M04-T2晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
NE3521M04-T2-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
N 沟道 GaAs HJ-FET
- 频率：
20GHz
- 增益：
11dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.85dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 描述：
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2020+ |
4-SMD |
80000 |
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RENESAS |
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4-SMD |
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6000 |
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