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NDT014	文件：225.29 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. 文件：225.29 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
NDT014L	文件：229.66 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology.This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan 文件：229.66 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
NDT0003A	文件：1.50816 Mbytes Page：22 Pages	LM120/LM320-N Series 3-Terminal Negative Regulators 文件：1.50816 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
NDT014L	文件：411.98 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：411.98 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDT01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 文件：136.15 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDT01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 ohm 文件：136.15 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDT01N60T1G	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 ohm 文件：136.15 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDT02N40	文件：108.03 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：108.03 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDT02N40T1G	文件：108.03 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：108.03 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDT02N60Z	文件：110.29 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：110.29 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
2.8
PD Max (W)：
115
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
200
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
160
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.6
Ciss Typ (pF)：
155
Package Type：
SOT-223-4/TO-261-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	NDT014L	FAIRCHILD/仙童	25+	SOT-223	37662	FAIRCHILD/仙童全新特价NDT014L即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多NDT0供应商更新时间2026-4-16 9:04:00

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