首页>NDD04N60Z-1G>规格书详情
NDD04N60Z-1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
NDD04N60Z-1G
- 功能描述：
MOSFET NFET IPAK 600V 4A 1.8R
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
VB |
21+ |
I-PAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ONSemi |
24+ |
TO-251 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2022+ |
IPAK-4 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
65200 |
询价 | ||||
ON |
24+ |
DPAK3(SINGLEGAUGE |
8866 |
询价 | |||
ON |
24+ |
TO-251 |
39500 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
