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NDB5060	文件：306.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB5060	文件：356.82 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB5060L	文件：305.72 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB5060L	文件：358.95 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP5060	文件：356.82 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP5060	文件：295.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP5060L	文件：295.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES DrainCurrent-ID=26A@TC=25℃ DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.05Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP5060L	文件：358.95 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NTE5060A	文件：26.48 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiode,1/2Watt짹5Tolerance Features: ●ZenerVoltage2.4to200V ●DO35Package	NTE NTE Electronics	NTE
PT5060	文件：233.68 Kbytes Page：4 Pages	5Vto12V/15V9WDUALOUTPUTINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
NDB5060
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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