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NCP81080	文件：146.45 Kbytes Page：12 Pages	High Performance Dual MOSFET Gate Driver 文件：146.45 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP81080	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Side and Low Side Gate Driver, High-Frequency, 180V offering 0.5A source/0.8A capability The NCP81080 is a high performance dual mosfet (high side and low side) gate-drive IC designed for driving MOSFETs operating up to 180 V. The NCP81080 integrates a driver IC and a bootstrap diode and offers 0.5A source/0.8A sink driving capability. Anti-cross conduction circuit is integrated to prev • Drives two N-Channel MOSFETs in High & Low Side\n• Bootstrap Supply Voltage Range up to 180V\n• Drives 1nF Load with Typical Rise/Fall Times of 19ns/17 ns\n• 2 ns Delay Matching (Typical)\n• Operating Junction Temperature Range of -40°C to 140°C;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP81080DR2G	文件：146.45 Kbytes Page：12 Pages	High Performance Dual MOSFET Gate Driver 文件：146.45 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP81080MNTBG	文件：146.45 Kbytes Page：12 Pages	High Performance Dual MOSFET Gate Driver 文件：146.45 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP81080DR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP81080MNTBG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VFDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Power Switch：
MOSFET
Number of Outputs：
2
Topology：
High-Low
Isolation Type：
Junction Isolation
Vin Max (V)：
180
VCC Max (V)：
20
Drive Source/Sink Typ (mA)：
500/800
Rise Time (ns)：
19
Fall Time (ns)：
17
Package Type：
DFN-8

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