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NCEP11N10AK	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-120V N-Channel SGT-II MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
SPD11N10	文件：1.01094 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.01094 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD11N10	文件：493.19 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：493.19 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPU11N10	文件：1.66513 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.66513 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-252
Polarity：
N
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
55
VTH(V)：
1.7
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
11.5
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
13
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
14
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
16
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
2050
QG(nC)：
42
PD(W)：
80

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NCEP11N10AK供应商更新时间2025-11-17 17:44:00

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