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SPD11N10

SIPMOS Power-Transistor

文件:493.19 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

SPD11N10

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.01094 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPD11N10

SIPMOS Power-Transistor

Infineon

英飞凌

SPU11N10

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.66513 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPU11N10

SIPMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    SPD11N10

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 12 V 30 mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
2095
只做原厂渠道 可追溯货源
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INFINEON/英飞凌
2450+
TO-252
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
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INFINEON
22+
TO252-3
20623
原装现货库存.价格优势
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23+
TO-252
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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infineon
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TO-252
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INFINEON
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TO252-3
30000
原装正品,诚信经营
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INFINEON
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TO-252
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INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
30000
全新原装现货,价格优势
询价
INFINEON
08+
TO252-3
20000
普通
询价
更多SPD11N10供应商 更新时间2025-10-5 16:36:00