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NCEP080N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-120V N-Channel SGT-II MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCEP080N10D	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-120V N-Channel SGT-II MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCEP080N10F	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-120V N-Channel SGT-II MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NTTFS080N10G	文件：203.32 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel, 8FL 100 V, 72 m, 16 A Features • Wide SOA for Linear Mode Operation • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • High Peak UIS Current Capability for Ruggedness • Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Typical Applications • 文件：203.32 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
N
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
55
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
7.4
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
8
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
3070
QG(nC)：
53
PD(W)：
120

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更多NCEP080N10供应商更新时间2026-3-13 12:00:00

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