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NCEP039N10D	文件：339.09 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal 文件：339.09 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

Product status：
New
Package：
TO-263
Polarity：
N
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
135
VTH(V)：
3.3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
3.5
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
3.9
CISS(pF)：
9500
QG(nC)：
125
PD(W)：
220

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