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NCEP039N10D	文件：339.09 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCEP039N10D；Package：TO-263；NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal 文件：339.09 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCEP039N10D	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-120V N-Channel SGT-II MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCEP039N10	文件：339.09 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal 文件：339.09 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCEP039N10	文件：339.09 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal 文件：339.09 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-263
Polarity：
N
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
55
VTH(V)：
3.3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
3.5
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
3.9
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
6400
QG(nC)：
102
PD(W)：
220

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