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NCEP01T13A	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-250V N-Channel SGT-I MOSFET The NCEP01T13Auses SuperTrench technology that isuniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to anextremely low combination of RDS(ON) and Qg. This deviceis ideal for high-frequency switching and • VDS=100V,ID =135ARDS(ON) <4.6mΩ@ VGS=10V• Excellent gate charge x RDS(on)product• Very low on-resistance RDS(on)• 175 °Coperatingtemperature• Pb-free lead plating•100% UIS tested;	NCEPower 新洁能	NCEPower
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NCEP01T13	文件：326.67 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：326.67 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
N
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
135
VTH(V)：
3.3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
3.8
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
4.6
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
6400
QG(nC)：
92
PD(W)：
210

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