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NCEP01T13D	文件：305.74 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：305.74 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
LCEP01T13D	文件：835.97 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCEP01T13D；Package：TO-263-2L；LCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：835.97 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMPC150N10	文件：850.44 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCEP01T13D；Package：TO-263-2L；N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：850.44 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCEP01T13D	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-250V N-Channel SGT-I MOSFET The NCEP01T13D uses Super Trench technology that is uniquely optimized toprovide the most efficient high frequency switching performance. Bothconduction and switching power losses are minimized due to an extremely lowcombination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal forhigh-frequency switching and	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-263
Polarity：
N
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
135
VTH(V)：
3.3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
3.7
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
4.5
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
7500
QG(nC)：
100
PD(W)：
220

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更多NCEP01T13D供应商更新时间2025-12-10 16:08:00

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