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NCE75TD120VTP	文件：1.96406 Mbytes Page：12 Pages	丝印：NCE75TD120VTP；Package：TO-247P；1200V, 75A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 1200V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology Offering  Very low VCE(sat) 文件：1.96406 Mbytes 页数：12 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE75TD120WT	文件：1.5383 Mbytes Page：9 Pages	丝印：NCE75TD120WT；Package：TO-247；1200V, 75A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 1200V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology Offering  Very low VCE(sat) 文件：1.5383 Mbytes 页数：9 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE75TD120WT4	文件：1.51737 Mbytes Page：8 Pages	丝印：NCE75TD120WT4；Package：TO-247-4L；1200V, 75A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 1200V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology Offering  Very low VCE(sat) 文件：1.51737 Mbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE75TD120WW	文件：1.55429 Mbytes Page：10 Pages	丝印：NCE75TD120WW；Package：TO-264；1200V, 75A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 1200V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features  Trench FSII Technology Offering  Very low VCE(sat) 文件：1.55429 Mbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE7075	文件：370.48 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：370.48 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE7075K	文件：989.54 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：989.54 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE7075K	文件：413.09 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：413.09 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE7080	文件：444.05 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：444.05 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE70H12	文件：370.69 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：370.69 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE70H13	文件：407.54 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：407.54 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

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技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220F
Polarity：
P
BVDSS(V)：
70
ID(A)：
100
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
4.8
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
5.5
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
4900
QG(nC)：
100
PD(W)：
45

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏和科技有限公司	NCE70R260D	NCE	24+	TO-263	5000	全现原装公司现货	询价
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深圳市正纳电子有限公司	NCE7580X	NEC	26+	NA	3560	专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子	询价
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