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NCE6890K	文件：429.77 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE6890K；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6890K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 68V,ID =90A RDS(ON) 文件：429.77 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6890K	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
PCM-6890B	文件：372.47 Kbytes Page：1 Pages	Intel Pentium III and Celeron Processors 文件：372.47 Kbytes 页数：1 Pages	AAEON 研扬科技	AAEON
TEF6890H	文件：312.46 Kbytes Page：55 Pages	Car radio integrated signal processor 文件：312.46 Kbytes 页数：55 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-252
Polarity：
P
BVDSS(V)：
68
ID(A)：
90
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
6.5
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
7.5
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
3300
QG(nC)：
35
PD(W)：
130

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