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NCE55P15

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:357.5 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE55P15

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:941.34 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NCE55P15I

丝印:NCE55P15I;Package:TO-251;NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE55P15I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON)

文件:367.21 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

NCE55P15

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPower

新洁能

NCE55P15K

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:977.58 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NCE55P15K

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:473.51 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

LCE55P15K

丝印:NCE55P15K;Package:TO-252-2L;LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.0364 Mbytes 页数:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

LMAK15P055

丝印:NCE55P15K;Package:TO-252-2L;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.03954 Mbytes 页数:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

NCE55P15I

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPower

新洁能

NCE55P15K

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPower

新洁能

技术参数

  • Product status:

    Production

  • Package:

    TO-220

  • Polarity:

    P

  • BVDSS(V):

    -55

  • ID(A):

    -15

  • VTH(V):

    -2.6

  • RDS(ON)@10VTyp(mΩ):

    60

  • RDS(ON)@10VMax(mΩ):

    75

  • VGS(th)(V):

    ±20

  • CISS(pF):

    1450

  • QG(nC):

    26

  • PD(W):

    45

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NCE
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
NCE新洁能
21+
TO-220
25000
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营
询价
NCE/新洁能
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
VB
21+
TO-220AB
10000
原装现货假一罚十
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NCE/新洁能
2022+
TO-220
2000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
NCE/新洁能
22+
TO-220
12245
现货,原厂原装假一罚十!
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NCE
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
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NCE/新洁能
23+
TO-220
89630
当天发货全新原装现货
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NCE/新洁能
24+
NA/
53250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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NCE新洁能
22+
TO-220
100000
新结能全线供应,支持终端生产
询价
更多NCE55P15供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00