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NCE55P15I	文件：367.21 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE55P15I；Package：TO-251；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE55P15I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON) 文件：367.21 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE55P15I	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE55P15K	文件：473.51 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：473.51 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE55P15K	文件：977.58 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：977.58 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-252
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-55
ID(A)：
-12
VTH(V)：
-2.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
60
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
75
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
1450
QG(nC)：
26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯睿晟科技有限公司	NCE55P15I	NCE/新洁能	21+	TO-251	330000	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价
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京海半导体(深圳)有限公司	NCE55P15I	新洁能	21+	TO251	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NCE55P15I	NCE/新洁能	24+	NA/	3290	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	NCE55P15I	NCE新洁能	22+	TO-251	100000	新结能全线供应,支持终端生产	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	NCE55P15I	NCE	2023+	TO-251	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
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更多NCE55P15I供应商更新时间2025-10-5 9:01:00

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