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NCE3415E	文件：247.15 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3415EX；Package：SOT-23；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3415E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. General Features ● VDS = -20V,ID =-4A RDS(ON) 文件：247.15 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3415E	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE3415Y	文件：268.87 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3415Y uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. General Features ● VDS = -20V,ID =-4A RDS(ON) 文件：268.87 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3415Y	文件：495.24 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.24 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PJA3415	文件：227.44 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：227.44 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-20
ID(A)：
-4
VTH(V)：
-0.7
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
29
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
40
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)：
36
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)：
53
VGS(th)(V)：
±10
CISS(pF)：
1173.2
QG(nC)：
11
PD(W)：
1.4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NCE3415E供应商更新时间2026-4-17 11:02:00

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