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NCE3415Y中文资料无锡新洁能股份数据手册PDF规格书

NCE3415Y
厂商型号

NCE3415Y

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

3415Y

封装外壳

SOT-23-3L

文件大小

268.87 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

NCEPOWER Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

无锡新洁能股份 无锡新洁能股份有限公司

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:00:00

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NCE3415Y规格书详情

描述 Description

The NCE3415Y uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications .It is ESD protested.

General Features

● VDS = -20V,ID =-4A

RDS(ON) < 60mΩ @ VGS=-2.5V

RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=-4.5V

ESD Rating: 2500V HBM

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Application

● PWM application

● Load switch

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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