NCE3400说明书PDF资料原装现货微碧半导体-114ic电子网

首页 >NCE3400>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
NCE3400	文件：483.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：483.24 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE3400	文件：332.68 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：332.68 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3400	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET The NCE3400 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE3400E	文件：243.55 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3400E；Package：SOT-23；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3400E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. It is ESD protested. General Features ● VDS = 30 文件：243.55 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3400X	文件：303.47 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3400X；Package：SOT-23；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3400X uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● VDS = 30V,ID = 5.1A RDS(ON) 文件：303.47 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3400XY	文件：283.15 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3400XY；Package：SOT23-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3400XY uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features ● VDS = 30V,ID = 5.1A RDS(ON) 文件：283.15 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3400A	文件：1.025859 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.025859 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCE3400A	文件：286.71 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3400A；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：286.71 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3400AY	文件：284.88 Kbytes Page：7 Pages	丝印：3400AY；Package：SOT23-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：284.88 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE3400AY	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET The NCE3400AY uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23
Polarity：
P
BVDSS(V)：
30
ID(A)：
5.8
VTH(V)：
0.9
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
22
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
35
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
24
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
41
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)：
28
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)：
57
VGS(th)(V)：
±12
CISS(pF)：
820
QG(nC)：
9.5
PD(W)：
1.4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	NCE3400	NCE Power(新洁能)	26+	原装	96310	NCE Power(新洁能)_NCE3400即刻询购立享优惠#长期有订	询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	NCE3400	NCE/新洁能	2021+	原厂原封装	93628	原装进口现货假一罚百	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	NCE3400	NCE/新洁能	21+	SOT-23	8080	只做原装,质量保证	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NCE3400	NCE新洁能	2430+	SOT-23	8540	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	NCE3400	NCEPOWER	2025+	SOT-23	5000	原装进口价格优请找坤融电子!	询价
深圳市星源辉科技有限公司	NCE3400	NCE/新洁能	26+	SOT-23	18000	原装正品,可配单,支持实单	询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司	NCE3400	NCE/新洁能	26+	SOT-23	120000	全新原装现货特价销售,欢迎来电查询	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	NCE3400	NCE/新洁能	26+	SOT-23	18000	原装现货,原厂渠道价格优势	询价
深圳市纳立科技有限公司	NCE3400	NCE	19+	SOT-23	999999	只做原装正品	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	NCE3400	NCE	18+	SOT-23	41200	原装正品,现货特价	询价

更多NCE3400供应商更新时间2026-10-24 9:05:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号