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NCE30NP1812Q	文件：443.08 Kbytes Page：10 Pages	丝印：NCE30NP1812Q；Package：DFN3X3-8L；NCE N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP1812Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable for use in inverter and other applications. Genera Features N-channel P-channel ● VDS = 30V,ID = 18A ● VDS = -30V,ID =- 12A RDS(ON) 文件：443.08 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE30NP1812Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE30NP1812G	文件：932.92 Kbytes Page：10 Pages	NCE N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP1812G uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable for use in inverter and other applications. Genera Features N-channel P-channel ● VDS = 30V,ID = 18A ● VDS = -30V,ID =- 12A RDS(ON) 文件：932.92 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE30NP1812K	文件：385.33 Kbytes Page：10 Pages	N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP1812K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS =30V,ID =18A RDS(ON) 文件：385.33 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

Product status：
Production
Package：
DFN3*3
Polarity：
N+P
BVDSS(V)：
-30/30
ID(A)：
-12/18
VTH(V)：
-1.7/1.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
29/19
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
35/24
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
55/26
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
75/37
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
691.9/547
QG(nC)：
12.9/15
PD(W)：
15

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