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NCE30NP1812Q中文资料无锡新洁能股份数据手册PDF规格书

NCE30NP1812Q
厂商型号

NCE30NP1812Q

功能描述

NCE N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

NCE30NP1812Q

封装外壳

DFN3X3-8L

文件大小

443.08 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企业简称

NCEPOWER无锡新洁能股份

中文名称

无锡新洁能股份有限公司官网

原厂标识
NCEPOWER
数据手册

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更新时间

2025-8-1 15:01:00

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NCE30NP1812Q规格书详情

描述 Description

The NCE30NP1812Q uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is

suitable for use in inverter and other applications.

Genera Features

N-channel P-channel

● VDS = 30V,ID = 18A ● VDS = -30V,ID =- 12A

RDS(ON) <24mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <35mΩ @ VGS=-10V

RDS(ON) <37mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) <75mΩ @ VGS=-4.5V

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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