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NCE30ND35Q	文件：656.45 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE30ND35Q；Package：PDFN3.3X3.3-8L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND35Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =35A RDS(ON) 文件：656.45 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE30ND35Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N and P-Channel MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE30P50G	文件：0 bytes Page：0 Pages	PDFN5*6-8	NCE(新洁能）上传：上海闻业电子科技有限公司	NCE(新洁能）
NCE4012S	文件：0 bytes Page：0 Pages		NCE/新洁能上传：深圳市英卓尔科技有限公司	NCE/新洁能
NCE40H12K	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	NCE 上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	NCE

技术参数

Product status：
Production
Package：
DFN3*3
Polarity：
N+N
BVDSS(V)：
30
ID(A)：
30
VTH(V)：
1.4
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
9
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
12
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
11.5
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
15
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
1000
QG(nC)：
17
PD(W)：
30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NCE30ND35Q供应商更新时间2025-12-13 11:01:00

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