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NTE2003	文件：23.74 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitDolbyB-TypeNoiseReductionProcessor Description: TheNTE2003isamonolithicintegratedcircuitina16–LeadDIPtypepackagespecificallydesignedtorealizedtheDolbyB–typenoisereductionsystem. Features: •Reduceddistortionathighfrequenciesandhighsignallevels •Improvedtransientstability •WideOper	NTE NTE Electronics	NTE
NVT2003	文件：493.16 Kbytes Page：33 Pages	Bidirectionalvoltage-leveltranslatorforopen-drainandpush-pullapplications	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
NVT2003	文件：727.81 Kbytes Page：8 Pages	Smart,simplesolutionsforthe12mostcommondesignconcerns	ETC	ETC
NVT2003DP	文件：493.16 Kbytes Page：33 Pages	Bidirectionalvoltage-leveltranslatorforopen-drainandpush-pullapplications	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
P2003BDG	文件：97.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor PRODUCTSUMMARY •V(BR)DSS25V •RDS(ON)20mΩ •ID32A	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
P2003BDG	文件：1.01522 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P2003BVG	文件：806.17 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P2003BVG	文件：1.00396 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P2003ED	文件：463.53 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
P2003EVG	文件：293.02 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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技术参数

Product status：
Production
Package：
SOT-23-6L
Polarity：
N+P
BVDSS(V)：
-20/20
ID(A)：
-3/3
VTH(V)：
-0.7/0.7
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
78/29
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
110/45
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)：
102/35
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)：
140/60
VGS(th)(V)：
±12
CISS(pF)：
325/260
QG(nC)：
3.2/2.9
PD(W)：
0.8

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