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NCE01P13	文件：348.57 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：348.57 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE01P13	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET The NCE01P13 uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. • V DS =-100V,I D =-13AR DS(ON) <200m;	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE01P13I	文件：307.98 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE01P13I；Package：TO-251；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P13I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-13A RDS(ON) 文件：307.98 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE01P13K	文件：407.15 Kbytes Page：7 Pages	NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：407.15 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
LCE01P13K	文件：1.10489 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE01P13K；Package：TO-252-2L；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.10489 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMAK13P10K	文件：1.10536 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE01P13K；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.10536 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NCE01P13I	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE01P13K	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-150V P-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
P
BVDSS(V)：
-100
ID(A)：
-13
VTH(V)：
-1.9
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
170
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
200
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
200
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
230
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
1734
QG(nC)：
33
PD(W)：
40

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