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NCE0102A	文件：317 Kbytes Page：7 Pages	丝印：0102AX；Package：SOT-23；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 2A RDS(ON) 文件：317 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0102A	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCE0102B	文件：351.44 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 1.8A RDS(ON) 文件：351.44 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0102E	文件：625.97 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 2A RDS(ON) 文件：625.97 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE0102M	文件：292.4 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0102M uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 2A RDS(ON) 文件：292.4 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER

技术参数

Technology：
Trench
Product status：
New
Package：
SOT-23
Polarity：
N
BVDSS(V)：
100
ID(A)：
2
VTH(V)：
2.7
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
220
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
240
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
406
QG(nC)：
13.6
PD(W)：
1.25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NCE0102A供应商更新时间2026-3-29 12:00:00

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