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NCD57080BDR2G	文件：646.81 Kbytes Page：24 Pages	Isolated High Current IGBT Gate Driver 文件：646.81 Kbytes 页数：24 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Power Switch：
IGBT
Number of Outputs：
1
Topology：
Single
Isolation Type：
Galvanic Isolation
Vin Max (V)：
20
VCC Max (V)：
30
Drive Source/Sink Typ (mA)：
6000/6000
Rise Time (ns)：
10
Fall Time (ns)：
6
tp Max (ns)：
60
Package Type：
SOIC-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市英科美电子有限公司	NCD57080CDR2G	ON/安森美	2223+		26800	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险	询价
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更多NCD57080供应商更新时间2026-1-23 14:16:00

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