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NCD57080B

Isolated High Current IGBT Gate Driver

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ONSEMI

安森美半导体

NCD57080BDR2G

Isolated High Current IGBT Gate Driver

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ONSEMI

安森美半导体

NCD57080C

Isolated High Current IGBT Gate Driver

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ONSEMI

安森美半导体

NCD57080CDR2G

Isolated High Current IGBT Gate Driver

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ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Power Switch:

    IGBT

  • Number of Outputs:

    1

  • Topology:

    Single

  • Isolation Type:

    Galvanic Isolation

  • Vin Max (V):

    20

  • VCC Max (V):

    30

  • Drive Source/Sink Typ (mA):

    6000/6000

  • Rise Time (ns):

    10

  • Fall Time (ns):

    6

  • tp Max (ns):

    60

  • Package Type:

    SOIC-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NCD57080供应商 更新时间2025-12-6 14:17:00