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NCD5701C

High Current IGBT Gate Drivers

文件:342.23 Kbytes 页数:20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCD5701C

High Current IGBT Gate Drivers

文件:465.33 Kbytes 页数:20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCD5701CDR2G

High Current IGBT Gate Drivers

文件:465.33 Kbytes 页数:20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCD5701CDR2G

High Current IGBT Gate Drivers

文件:342.23 Kbytes 页数:20 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCD5701ADR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

NCD5701BDR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

NCD5701CDR2G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Power Switch:

    IGBT

  • Number of Outputs:

    1

  • Topology:

    Single

  • Isolation Type:

    Non-Isolated

  • Vin Max (V):

    5.5

  • VCC Max (V):

    35

  • Drive Source/Sink Typ (mA):

    5000/5000

  • Rise Time (ns):

    30

  • Fall Time (ns):

    30

  • tp Max (ns):

    70

  • Package Type:

    SOIC-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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