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NAND512W3A2C中文资料512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
NAND512W3A2C |
| 参数属性 | NAND512W3A2C 封装/外壳为63-TFBGA；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 封装外壳 | 63-TFBGA |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-19 19:00:00 |
| 人工找货 | NAND512W3A2C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
NAND512W3A2CZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
512Mb（64M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
50ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
- 描述：
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
BGA |
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询价 | ||
ST |
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