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NAND512R3A2SZAXE	文件：300 bytes Page：1 Pages	SLC NAND	Micron 美光	Micron
NAND512R3A2SZAXE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA	ELPIDA 尔必达	ELPIDA
NAND512R3A2C	文件：1.38089 Mbytes Page：55 Pages	512-Mbit, 528-byte/264-word page, 1.8 V/3 V, SLC NAND flash memories 文件：1.38089 Mbytes 页数：55 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND512R3A2C	文件：1.27065 Mbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories Description The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The NAND512R3A2C, NAND512R4A2C, NAND512W3A2C, and NAND512W4A2C have a density of 512 Mbi 文件：1.27065 Mbytes 页数：51 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND512R3A2C	文件：674.58 Kbytes Page：51 Pages	512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories 文件：674.58 Kbytes 页数：51 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
NAND512R3A2SZAXE
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
512Mb（64M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
50ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-TFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
描述：
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

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