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NAND512R3A2BZA6	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2BZA6E	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2BZA6F	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2BZA6T	文件：916.59 Kbytes Page：57 Pages	128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp 文件：916.59 Kbytes 页数：57 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
NAND512R3A2BZA6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA	ST 意法半导体	ST
NAND512R3A2BZA6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND
存储容量：
512Mb （64M x 8）
写周期时间 - 字，页：
60ns
访问时间：
60ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7 V ~ 1.95 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
63-VFBGA
供应商器件封装：
63-VFBGA（8.5x15）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NAND512R3A2BZA6供应商更新时间2025-11-22 22:58:00

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