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NAND02GW3B2DN6E

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2DN6E

Package:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

NAND02GW3B2DN6F

2-Gbit,2112-byte/1056-wordpagemultiplanearchitecture,1.8Vor3V,NANDflashmemories

NUMONYX

numonyx

产品属性

  • 产品编号:

    NAND02GW3B2DN6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP

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更多NAND02GW3B2DN6E供应商 更新时间2025-5-4 22:30:00