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NAND02GW3B2DN6E	文件：1.81088 Mbytes Page：69 Pages	2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories 文件：1.81088 Mbytes 页数：69 Pages	NUMONYX	NUMONYX
NAND02GW3B2DN6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP	Micron 美光	Micron
NAND02GW3B2DN6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP	ELPIDA 尔必达	ELPIDA
NAND02GW3B2DN6F	文件：1.81088 Mbytes Page：69 Pages	2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories 文件：1.81088 Mbytes 页数：69 Pages	NUMONYX	NUMONYX

产品属性

产品编号：
NAND02GW3B2DN6E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
2Gb（256M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP

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更多NAND02GW3B2DN6E供应商更新时间2025-10-4 11:15:00

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