NAND02GW3B2DN6E_集成电路(IC) 存储器-美光科技

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  • 厂家型号:

    NAND02GW3B2DN6E

  • 制造商:

    ELPIDA/美光科技

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    集成电路(IC) 存储器

  • 封装外壳:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

  • 包装:

    管件

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2025-6-21 15:22:00

  • 详细信息
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原厂料号:NAND02GW3B2DN6E品牌:Micron Technology Inc.

资料说明:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP

NAND02GW3B2DN6E是集成电路(IC) > 存储器。制造商ELPIDA/美光科技生产封装48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)的NAND02GW3B2DN6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    nand02gw3b2dn6e

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 企业简称:

    ELPIDA【美光科技】详情

  • 厂商全称:

    Elpida Memory

  • 中文名称:

    美光科技股份有限公司

  • 资料说明:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    NAND02GW3B2DN6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    2Gb(256M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP

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