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NAND02GW3B2BZA1E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND02GW3B2BZA1E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2BZA1F

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND02GW3B2BZA1F

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2BZA6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND02GW3B2BZA6E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2BZA6E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND02GW3B2BZA6F

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND02GW3B2BZA6F

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2BZB1

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

技术参数

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND

  • 存储容量:

    2Gb (256M x 8)

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 访问时间:

    25ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    48-TFSOP(0.724\,18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    48-TSOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
13+/14+
TSOP48
10000
全新原装
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NUMONY
TSSOP48
3200
原装长期供货!
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Numonyx
13+
BGA63
8973
原装分销
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STMICROELEC
24+
原封装
1580
原装现货假一罚十
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17280
24+
TSOP48
6980
原装现货,可开13%税票
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NUMONYX
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N/A
6200
100%原装正品现货
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ST
2020+
TSOP
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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BGA
6000
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!
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ST
24+
TSOP
48
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STMicroelectronics
2005
TSOP
16
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更多NAND02GW3B供应商 更新时间2021-9-16 14:01:00