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NAND02GW3B	文件：383.4 Kbytes Page：59 Pages	512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory FEATURESSUMMARY ■HIGHDENSITYNANDFLASHMEMORIES –Upto8Gbitmemoryarray –Upto64Mbitsparearea –Costeffectivesolutionsformassstorage applications ■NANDINTERFACE –x8orx16buswidth –MultiplexedAddress/Data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■SUPPLYVOLTAG	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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NAND02GW3B	文件：614.48 Kbytes Page：32 Pages	USB 2.0 high-speed Flash drive controller	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND02GW3B2AN1	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND02GW3B2AN6	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND02GW3B2AZA1	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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NAND02GW3B2AZB1	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND02GW3B2AZB6	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NAND02GW3B2BN1	文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
NAND02GW3B
功能描述：
闪存 NAND & S.MEDIA FLASH
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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更多NAND02GW3B供应商更新时间2021-9-16 14:01:00

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