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ESD11N5.0ST5G

丝印:N5S0;Package:DSN2;Transient Voltage Suppressors Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection

The ESD11N is designed to protect voltage sensitive components that require ultra−low capacitance from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at

文件:138.69 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    N5S0

  • 功能描述:

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 LOW CAP BI DIRECT TV

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 极性:

    Bidirectional

  • 击穿电压:

    58.9 V

  • 钳位电压:

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流:

    38.8 A

  • 封装/箱体:

    DO-214AB

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 最大工作温度:

    + 150 C

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