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N5S0	文件：138.69 Kbytes Page：4 Pages	型号：ESD11N5.0ST5G；Package：DSN2；Transient Voltage Suppressors Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection TheESD11Nisdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsthatrequireultra−lowcapacitancefromESDandtransientvoltageevents.Excellentclampingcapability,lowcapacitance,lowleakage,andfastresponsetime,makethesepartsidealforESDprotectionondesignswhereboardspaceisat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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文件：138.69 Kbytes

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型号：ESD11N5.0ST5G；Package：DSN2；Transient Voltage Suppressors Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection

TheESD11Nisdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsthatrequireultra−lowcapacitancefromESDandtransientvoltageevents.Excellentclampingcapability,lowcapacitance,lowleakage,andfastresponsetime,makethesepartsidealforESDprotectionondesignswhereboardspaceisat

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
N5S0
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 LOW CAP BI DIRECT TV
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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