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ESD11N5.0ST5G

Marking:N5S0;Package:DSN2;Transient Voltage Suppressors Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection

TheESD11Nisdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponentsthatrequireultra−lowcapacitancefromESDandtransientvoltageevents.Excellentclampingcapability,lowcapacitance,lowleakage,andfastresponsetime,makethesepartsidealforESDprotectionondesignswhereboardspaceisat

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ESD11N5.0ST5G

Package:0201(0603 公制);包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    ESD11N5.0ST5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5.8V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    12V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-DSN(0.60x0.30)

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ESD11N5.0ST5G供应商 更新时间2025-6-23 22:59:00