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ESD11N5.0ST5G电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
ESD11N5.0ST5G |
参数属性 | ESD11N5.0ST5G 封装/外壳为0201(0603 公制);包装为散装;类别为电路保护的TVS-二极管;ESD11N5.0ST5G应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN |
功能描述 | Transient Voltage Suppressors Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection |
丝印标识 | |
封装外壳 | DSN2 / 0201(0603 公制) |
文件大小 |
138.69 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 15:40:00 |
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ESD11N5.0ST5G规格书详情
ESD11N5.0ST5G属于电路保护的TVS-二极管。由安森美半导体公司制造生产的ESD11N5.0ST5GTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。
The ESD11N is designed to protect voltage sensitive components that require ultra−low capacitance from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at a premium. Because of its low capacitance, it is suited for use in high frequency designs such as USB 2.0 high speed and antenna line applications.
Specification Features
• Low Capacitance 0.6 pF
• Low Clamping Voltage
• Small Body Outline Dimensions: 0.60 mm x 0.30 mm
• Low Body Height: 0.3 mm
• Stand−off Voltage: 5.0 V
• Low Leakage
• Response Time is < 1 ns
• IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
产品属性
更多- 产品编号:
ESD11N5.0ST5G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
散装
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
5V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
5.8V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
12V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
1A(8/20µs)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
通用
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
0201(0603 公制)
- 供应商器件封装:
2-DSN(0.60x0.30)
- 描述:
TVS DIODE 5VWM 12VC 2DSN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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