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N0800R

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES • Complements to N0800S. • VCEO = -80 V • IC(DC) = -0.3 A • Miniature package SOT-23F (2SB800: Package variation of 3pPoMM)

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RENESAS

瑞萨

N0800R-T1-AT

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FEATURES • Complements to N0800S. • VCEO = -80 V • IC(DC) = -0.3 A • Miniature package SOT-23F (2SB800: Package variation of 3pPoMM)

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RENESAS

瑞萨

N0800R_15

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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RENESAS

瑞萨

N0800R

Transistor

Renesas

瑞萨

技术参数

  • NPN/PNP:

    PNP

  • VCEO (V):

    -80

  • IC (A) @25 °C:

    -0.3

  • VCE(sat) (V) max.:

    -0.6

  • hFE min.:

    90

  • hFE max.:

    400

  • Pc (W):

    1

  • fT (GHz) typ.:

    0.11

  • fT (MHz) typ.:

    110

  • Cob (pF) typ.:

    9

  • Package Type:

    SOT-23F

  • Production Status:

    Non-promotion

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
20+
SOT-23
120000
原装正品 可含税交易
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RENESAS/瑞萨
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更多N0800R供应商 更新时间2025-12-3 14:00:00