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MZ0912B50Y	文件：90.73 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT443A metal ceramic flange package with base connected to flange. It is mounted in common base configuration, and specified in class C. FEATURES • Interdigitated structure provides high emitter efficiency • Diffused emi 文件：90.73 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
MZ0912B50Y	文件：300 bytes Page：1 Pages	射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
MZ0912B50Y	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN microwave power transistor	恩XP	恩XP
MZ0912B50Y,114	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ CDFM2	Ampleon 安谱隆	Ampleon
MZ0912B50Y,114	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-443A；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2	Ampleon USA Inc.	Ampleon USA Inc.

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
频率 - 跃迁：
1.215GHz
增益：
8dB
功率 - 最大值：
150W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
3A
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-443A
供应商器件封装：
CDFM2

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更多MZ0912B50Y供应商更新时间2025-11-24 10:30:00

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