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MZ0912B50Y分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MZ0912B50Y
厂商型号

MZ0912B50Y

参数属性

MZ0912B50Y 封装/外壳为SOT-443A;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

功能描述

NPN microwave power transistor

封装外壳

SOT-443A

文件大小

90.73 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-27 22:59:00

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MZ0912B50Y规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT443A metal ceramic flange package with base connected to flange. It is mounted in common base configuration, and specified in class C.

FEATURES

• Interdigitated structure provides high emitter efficiency

• Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR

• Gold metallization realizes very stable characteristics and excellent lifetime

• Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance

• Input and output matching cell allows an easier design of circuits.

APPLICATIONS

Common base, class C, broadband, pulse power amplifier from 960 to 1215 MHz for TACAN application.

产品属性

  • 产品编号:

    MZ0912B50Y,114

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    20V

  • 频率 - 跃迁:

    1.215GHz

  • 增益:

    8dB

  • 功率 - 最大值:

    150W

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    3A

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-443A

  • 供应商器件封装:

    CDFM2

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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