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MUSES05

High-Quality Sound, J-FET Input, Single Operational Amplifier for Premium Audio

FEATURES  High-quality Sound  Low Input Bias Current 5pA  Low Noise 7.5nV/√Hz at f=1kHz  Ultralow Distortion 0.00003% at f=1kHz  High Slew Rate 40V/μs  Gain Bandwidth Product 12MHz  Operating Voltage ±3.5V to ±18V  Operating Current 5.8mA  J-FET Input  Bipolar Technology 

文件:795.02 Kbytes 页数:16 Pages

NISSHINBO

日清纺微电子

MUSES05

用于高级音响设备的单路 J-FET 输入的高音质音频运算放大器

MUSES05 是一款用于高级音响设备的单路 J-FET 输入的高音质音频运算放大器。 MUSES05是通过使用注重音质的改善电路、材质和组装技术来实现高音质。 MUSES05具有高音质、低输入偏置电流、低噪声、超低失真、高轨至轨电压等特点,适用于I/V转换放大器、前置放大器、有源滤波器、耳机放大器、线路放大器等应用。\n\n应用\n\n• 家庭音响\n\n• 专业音响\n\n• 便携式音响\n\n• 汽车音响

Nisshinbo

日清纺微电子

MUX508IDR

SOIC-16

技术参数

  • 电源:

    Dual

  • 电源电压:

    ±3.5 V ~ ±18 V ( 7 V ~ 36 V)

  • 消耗电流(ch.):

    Typ. 5.8 mA ~ max. 10 mA

  • 输入失调电压:

    Typ. 1 mV ~ max. 10mV

  • 电压转换速率:

    Typ. 40 V/μsec

  • 输入偏置电流:

    Typ. 0.005 nA ~ max. 0.25 nA

  • 输入失调电流:

    Typ. 0.002 nA ~ max. 0.22 nA

  • GBW:

    Typ. 12 MHz

  • ft:

    Typ. 13 MHz

  • 噪声电压(VNI):

    Typ. 1 μVrms

  • 噪声电压(en):

    Typ. 7.5 nV/√Hz

  • 工作温度范围:

    -40°C ~ 105°C

  • 结温:

    150°C

  • 稳定增益:

    1 V/V

  • 封装:

    DFN12-CA8(ESON12-CA8)

  • 备注(1):

    无氧铜引脚框架

  • 备注(2):

    总谐波失真(0.00003% typ. at f=1kHz)

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