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MUN5234T1	文件：230.84 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS BiasResistorTransistors NPNSiliconSurfaceMountTransistorwith MonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonol	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MUN5234T1	文件：230.84 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5234T1	文件：89.91 Kbytes Page：10 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5234T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MUN5234T1G	文件：135.9 Kbytes Page：10 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUN5234T1G	文件：143.79 Kbytes Page：11 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
MUN5234T1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

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