首页>MUN5234T1G>规格书详情

MUN5234T1G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

MUN5234T1G
厂商型号

MUN5234T1G

参数属性

MUN5234T1G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

功能描述

Bias Resistor Transistor
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

89.91 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-7-31 20:59:00

人工找货

MUN5234T1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MUN5234T1G规格书详情

MUN5234T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由安森美半导体公司制造生产的MUN5234T1G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MUN5234T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON/安森美
24+
NA/
386
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
ON/安森美
2223+
SOT-363
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
ON进口原装
22+
SOT-363
25000
只有原装原装,支持BOM配单
询价
ON
0409+
SOT-363
40
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON
24+/25+
560
原装正品现货库存价优
询价
ON
23+
NA
446
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品
询价
LRC/乐山
2021
SC-70
360000
原装现货
询价
ONSEMI/安森美
2450+
SOT363-6
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
询价
ON/安森美
24+
TSSOP
10000
原装进口只做订货 寻找优势渠道合作
询价