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MUN5112DW1T1G	文件：232.3 Kbytes Page：20 Pages	Dual Bias Resistor Transistors Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a 文件：232.3 Kbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5112T1	文件：205.59 Kbytes Page：11 Pages	Bias Resistor Transistor Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolit 文件：205.59 Kbytes 页数：11 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MUN5112T1	文件：238.88 Kbytes Page：10 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monoli 文件：238.88 Kbytes 页数：10 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MUN5112T1G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 kOhm, R2 = 22 kOhm PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a 文件：149.14 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5112DW	文件：379.35 Kbytes Page：12 Pages	Dual Bias Resistor Transistor 文件：379.35 Kbytes 页数：12 Pages	WEITRON	WEITRON
MUN5112DW	文件：1.60841 Mbytes Page：12 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：1.60841 Mbytes 页数：12 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN
MUN5112DW1	文件：123.72 Kbytes Page：8 Pages	Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：123.72 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5112DW1T1	文件：147.75 Kbytes Page：20 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：147.75 Kbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5112DW1T1G	文件：147.75 Kbytes Page：20 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：147.75 Kbytes 页数：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5112DW1T1G	文件：123.72 Kbytes Page：8 Pages	Dual PNP Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：123.72 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MUN5112
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>60
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
60
R1 (kΩ)：
22
R2 (kΩ)：
22
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.8
Vi(on) Min (V)：
2.5
Package Type：
SC-70-3/SOT-323-3

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