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MUN2233T1	文件：160.53 Kbytes Page：11 Pages	Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network cons 文件：160.53 Kbytes 页数：11 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MUN2233T1	文件：263.56 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The 文件：263.56 Kbytes 页数：12 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MUN2233T1G	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a mono 文件：149.14 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2233_15	文件：110.08 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k 文件：110.08 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2233_16	文件：140.42 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.42 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2233T1	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：150.44 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2233T1G	文件：150.44 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：150.44 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2233T1G	文件：140.42 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：140.42 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2233T1G	文件：110.08 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k 文件：110.08 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN2233LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital Transistors	Willas 威伦电子	Willas

晶体管资料

型号：
MUN2233
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
MMUN2233
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>35
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
80
R1 (kΩ)：
4.7
R2 (kΩ)：
47
R1/R2 Typ：
0.1
Vi(off) Max (V)：
0.5
Vi(on) Min (V)：
1.3
Package Type：
SC-59-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市诚利顺电子科技有限公司	MUN2233	PHI	25+	SOT23	6500	十七年专营原装现货一手货源,样品免费送	询价
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深圳市纳立科技有限公司	MUN2233T1G		三年内		1983	只做原装正品	询价

更多MUN2233供应商更新时间2025-12-24 17:31:00

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